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UZVN4210A

更新时间: 2024-10-14 19:58:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

UZVN4210A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.3配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):0.45 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):12 pFJESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UZVN4210A 数据手册

 浏览型号UZVN4210A的Datasheet PDF文件第2页 
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN4210A  
ISSUE 2 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
100 Volt VDS  
RDS(on)= 1.5  
Spice m odel available  
D
G
S
E-Line  
TO92 Com patible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Dra in -S o u rce Vo lta g e  
100  
450  
Co n tin u o u s Dra in Cu rre n t a t Ta m b=25°C  
Pu ls ed Dra in Cu rre n t  
ID  
m A  
A
IDM  
6
Ga te -S o u rce Vo lta g e  
VGS  
V
± 20  
Po w e r Dis s ip atio n a t Ta m b=25°C  
Op era tin g an d S to ra g e Tem p era tu re Ran g e  
Pto t  
700  
m W  
°C  
Tj:Ts tg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .  
Dra in -S o u rce Bre a kd o w n  
Vo lta g e  
BVDS S  
100  
V
ID=1m A, VGS=0V  
Ga te -S o u rce Th re s h o ld  
Vo lta g e  
VGS (th )  
0.8  
2.4  
V
ID=1m A, VDS= VGS  
Ga te -Bo d y Le aka g e  
IGS S  
IDS S  
100  
n A  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Ze ro Gate Vo ltag e Dra in  
Cu rre n t  
10  
100  
VDS=100V, VGS=0  
VDS=80V, VGS=0V, T=125°C(2)  
µA  
µA  
On -S tate Dra in Cu rre n t(1)  
ID(o n )  
2.5  
A
VDS=25V, VGS=10V  
VGS=10V,ID=1.5A  
S ta tic Dra in -S o u rce On -S ta te  
Re s is tan ce (1)  
RDS (o n )  
1.5  
1.8  
VGS=5V,ID=500m A  
Fo rw ard Tran s co n d u cta n ce (1)(2g fs  
)
250  
m S  
VDS=25V,ID=1.5A  
In p u t Ca p a cita n ce (2)  
Cis s  
Co s s  
100  
40  
p F  
p F  
Co m m o n S o u rce Ou tp u t  
Ca p a citan ce (2)  
VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz  
Re ve rs e Tra n s fe r Ca p a citan ce Crs s  
(2)  
12  
p F  
Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)  
Ris e Tim e (2)(3)  
td (o n )  
4
n s  
n s  
n s  
n s  
tr  
8
VDD 25V, ID=1.5A  
Tu rn -Off Delay Tim e (2)(3)  
Fall Tim e (2)(3)  
td (o ff)  
tf  
20  
30  
3-388  

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