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UZVN4306GTA

更新时间: 2024-10-30 15:56:27
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捷特科 - ZETEX /
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

UZVN4306GTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOT-223, 4 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.12外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):2.1 A最大漏源导通电阻:0.45 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):30 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):46 ns
最大开启时间(吨):33 nsBase Number Matches:1

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