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UZVNL110G

更新时间： 2024-10-30 15:56:27

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美台 - DIODES		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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UZVNL110G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.6 A	最大漏源导通电阻：	4.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UZVNL110G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET

ZVNL110G

ISSUE 2 - FEBRUARY 1996

✪

FEATURES

LOW R_DS(ON)- 3Ω

PARTMARKING DETAIL - ZVNL110

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

100

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

600

m A

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

100

I_D=1m A, V_GS=0V

Gate-Sou rce Threshold Voltage V_{GS (th )}

0.75

1.5

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=100V, V_GS=0V

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

750

225

m A

V_DS=25V, V_GS=5V

V_GS=5V, I_D=250m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

4.5

3.0

Ω

V_GS=10V, I_D=500m A

Forward Transconductance(1)(2) g _fs

m S

p F

V_DS=25V, I_D=500m A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance (2) C_{rs s}

p F

n s

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

V_DD≈25V, I_D=1A, V_GS=10V

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

3 - 419

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UZVP0545ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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