5秒后页面跳转
UZVP2110GTA PDF预览

UZVP2110GTA

更新时间: 2024-02-06 09:10:34
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX /
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 100V, 8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

UZVP2110GTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOT-223, 4 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.1外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):0.31 A最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):10 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):27 ns
最大开启时间(吨):22 nsBase Number Matches:1

UZVP2110GTA 数据手册

  

与UZVP2110GTA相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UZVP2110GTC ZETEX Power Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 100V, 8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

UZVP2120A DIODES Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

获取价格

UZVP2120ASTOA DIODES Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

获取价格

UZVP2120ASTOA ZETEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

获取价格

UZVP2120ASTOB ZETEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

获取价格

UZVP2120G ZETEX Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 200V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格