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UZTX751

更新时间： 2024-09-15 20:57:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 127K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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UZTX751 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.22最大集电极电流 (IC)：2 A
基于收集器的最大容量：30 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2.5 W认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

UZTX751 数据手册

 浏览型号UZTX751的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UZTX751的Datasheet PDF文件第3页 
PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 3 – JULY 2005  
ZTX750  
ZTX751  
FEATURES  
*
*
*
*
60 Volt VCEO  
2 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX750  
-60  
ZTX751  
-80  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
-45  
-60  
-5  
-6  
-2  
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
IC  
Power Dissipation: at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
ZTX750  
ZTX751  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown  
Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-60  
-45  
-5  
-80  
-60  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA  
IE=-100µA  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-0.1  
-10  
VCB=-45V  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
-0.1  
VCB=-60V  
VCB=-45V,Tamb=100°C  
VCB=-60V,Tamb=100°C  
VEB=-4V  
-10  
-0.1  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
-0.1  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
Base-Emitter  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.15 -0.3  
-0.28 -0.5  
-0.15 -0.3  
-0.28 -0.5  
V
V
V
IC=-1A, IB=-100mA  
IC=-2A, IB=-200mA  
IC=-1A, IB=-100mA  
-0.9  
-1.25  
-0.9  
-1.25  
Saturation Voltage  
Base-Emitter  
-0.8  
-1  
-0.8  
-1  
V
IC=-1A, VCE=-2V  
Turn-On Voltage  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
70  
200  
200  
170  
80  
70  
200  
200  
170  
80  
IC=-50mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA,VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=500mA, VCC=10V  
IB1=IB2=50mA  
100  
80  
300  
30  
100  
80  
300  
30  
40  
40  
Switching Times  
Output Capacitance  
ton  
45  
45  
toff  
800  
800  
Cobo  
pF  
VCB=10V f=1MHz  
3-257  
123

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