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UZTX755 PDF预览

UZTX755

更新时间： 2024-09-15 15:56:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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UZTX755 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.39Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

UZTX755 数据手册

 浏览型号UZTX755的Datasheet PDF文件第2页 
PNP SILICON PLANAR  
ZTX754  
ZTX755  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 2 – JULY 94  
FEATURES  
*
*
*
*
150 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX754  
-125  
ZTX755  
-150  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-125  
-150  
V
-5  
-2  
-1  
1
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX754  
ZTX755  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-125  
-125  
-5  
-150  
-150  
-5  
V
V
V
IC=-100µA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-100µA, IC=0  
VCB=-100V, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
nA  
nA  
-100  
-100  
VCB=-125V, IE=0  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
nA  
VEB=-3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-0.5  
-0.5  
-0.5  
-0.5  
V
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
IC=-1A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
-1.1  
-1.1  
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
-1.0  
-1.0  
V
IC=-500mA, VCE=-5V*  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
hFE  
50  
50  
20  
50  
50  
20  
IC=-10mA, VCE=-5V  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
Transition Frequency fT  
Output Capacitance Cobo  
30  
30  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
20  
20  
VCB=-20V, f=1MHz  
3-263  
12

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