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UTT60N06G-TN3-R

更新时间： 2024-12-01 01:07:15

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友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
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8页	386K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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UTT60N06G-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	80 ns	最大开启时间（吨）：	60 ns
Base Number Matches：	1

UTT60N06G-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT60N06

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET



DESCRIPTION

The UTC UTT60N06 is n-channel enhancement mode

power field effect transistors with stable off-state

characteristics, fast switching speed and low thermal

resistance. usually used at telecom and computer

applications.



FEATURES

* R_DS(ON)< 18mΩ @V_GS= 10 V

* Fast switching capability

* Avalanche energy Specified



SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Pin Assignment

Package

Packing

Halogen Free

UTT60N06L-TA3-T

UTT60N06L-TN3-R

UTT60N06G-TA3-T

UTT60N06G-TN3-R

UTT60N06G-TQ2-T

UTT60N06G-TQ2-R

TO-220

TO-252

TO-263

Tube

Tape Reel

Tube

UTT60N06L-TQ2-T

Tape Reel

UTT60N06L-TQ2-R

Note: Pin Assignment: G: Gate

D: Drain

S: Source



MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-575.D

12 3 4 5 6 7 8

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