是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
雪崩能效等级(Eas): | 270 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 60 A | 最大漏源导通电阻: | 0.024 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 155 pF |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 114 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 350 ns |
最大开启时间(吨): | 455 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UTT60N10M | UTC |
获取价格 |
N-CH | |
UTT60P03 | UTC |
获取价格 |
-60A, -30V, P-CHANNEL POWER MOSFETS | |
UTT60P03G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
-60A, -30V, P-CHANNEL POWER MOSFETS | |
UTT60P03L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
-60A, -30V, P-CHANNEL POWER MOSFETS | |
UTT65P04 | UTC |
获取价格 |
65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET | |
UTT65P04G-TA3-T | UTC |
获取价格 |
65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET | |
UTT65P04L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET | |
UTT6675 | UTC |
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P-CH | |
UTT68N03 | UTC |
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N-CH | |
UTT6N10 | UTC |
获取价格 |
100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET |