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UT2306G-AE3-R

更新时间: 2024-11-21 08:21:39
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 254K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UT2306G-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.68
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.065 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UT2306G-AE3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UT2306  
Power MOSFET  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
DESCRIPTION  
The UTC UT2306 is N-channel Power MOSFET, designed  
with high density cell, with fast switching speed, ultra low  
on-resistance and excellent thermal and electrical capabilities.  
Used in commercial and industrial surface mount  
applications and suited for low voltage applications such as  
DC/DC converters.  
„
SYMBOL  
3.Drain  
2.Gate  
1.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
SOT-23  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
S
2
G
3
D
UT2306L-AE3-R  
UT2306G-AE3-R  
Tape Reel  
„
MARKING  
23F  
L: Lead Free  
G: Halogen Free  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 5  
QW-R502-130.C  

UT2306G-AE3-R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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