5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT2311L-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| UT2311L-F-AE2-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| UT2312 | UTC |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| UT2312_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| UT2312G-AE3-R | UTC |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| UT2312L-AE3-R | UTC |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| UT2315-H | UTC |
获取价格 |
P-CH |
|
| UT2316 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT2316_09 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT2316_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
