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UT2321G-AE3-R

更新时间： 2024-01-21 11:52:58

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UT2321G-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	3.8 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15.2 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT2321G-AE3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT2321

Power MOSFET

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE FIELD EFFECT

TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UT2321 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

FEATURES

* R_DS(ON)<55mΩ @V_GS=-4.5V

* R_DS(ON)<80mΩ @V_GS=-2.5V

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

3.Drain

2.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

SOT-23

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT2321L-AE3-R

UT2321G-AE3-R

Tape Reel

MARKING

231

L: Lead Free

G: Halogen Free

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-249.D

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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