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UPD4632312AF9-B60X-BC2

更新时间： 2024-09-24 22:19:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 316K
描述
32M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 2M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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UPD4632312AF9-B60X-BC2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：60 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：8 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.04 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.1 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：6 mmBase Number Matches：1

UPD4632312AF9-B60X-BC2 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
µPD4632312A-X  
32M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM  
2M-WORD BY 16-BIT  
EXTENDED TEMPERATURE OPERATION  
Description  
The µPD4632312A-X is a high speed, low power, 33,554,432 bits (2,097,152 words by 16 bits) CMOS Mobile  
Specified RAM featuring Low Power Static RAM compatible function and pin configuration.  
The µPD4632312A-X is fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell.  
The µPD4632312A-X is packed in 48-pin TAPE FBGA.  
Features  
• 2,097,152 words by 16 bits organization  
• Fast access time: 60, 65, 75, 85 ns (MAX.)  
• Fast page access time: 18, 25, 30 ns (MAX.)  
• Byte data control: /LB (I/O0 to I/O7), /UB (I/O8 to I/O15)  
• Low voltage operation:2.7 to 3.1 V (-B60X, -B65X)  
2.7 to 3.1 V (Chip), 1.65 to 2.1 V (I/O) (-BE75X, -BE85X)  
• Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C  
• Output Enable input for easy application  
• Chip Enable input: /CS pin  
• Standby Mode input: MODE pin  
• Standby Mode1: Normal standby (Memory cell data hold valid)  
• Standby Mode2: Density of memory cell data hold is variable  
µPD4632312A  
Access  
time  
Operating supply  
Operating  
Supply current  
voltage  
V
ambient At operating  
temperature mA (MAX.)  
°C  
At standby µA (MAX.)  
ns (MAX.)  
Density of data hold  
Chip  
60, 65 2.7 to 3.1  
I/O  
–
32M bits 16M bits 8M bits 4M bits 0M bit  
-B60X Note, -B65X  
-BE75X Note, -BE85X Note  
–25 to +85  
50  
45  
100  
70  
60  
50  
30  
75, 85 2.7 to 3.1 1.65 to 2.1  
Note Under development  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with NEC Electronics sales  
representative for availability and additional information.  
Document No. M15874EJ5V0DS00 (5th edition)  
Date Published January 2003 NS CP (K)  
Printed in Japan  
The mark # shows major revised points.  
2001  
1234567...36

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与UPD4632312AF9-B60X-BC2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD4632312AF9-B65X-BC2 NEC

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 		32M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 2M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD4632312AF9-BE75X-BC2 NEC

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 		32M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 2M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD4632312AF9-BE85X-BC2 NEC

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 		32M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 2M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD4632312A-X NEC

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 		32M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 2M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD4632312F9-B85X-BT3 ETC

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 		PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|77PIN|PLASTIC
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