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UPD46365094BF1-E33-EQ1-A PDF预览

UPD46365094BF1-E33-EQ1-A

更新时间： 2024-09-26 07:25:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 592K
描述
QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM, LBGA, /Tray

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UPD46365094BF1-E33-EQ1-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LBGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.79最长访问时间：0.45 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B165长度：15 mm
内存密度：37748736 bit内存集成电路类型：QDR SRAM
内存宽度：9功能数量：1
端子数量：165字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX9封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
座面最大高度：1.46 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
宽度：13 mmBase Number Matches：1

UPD46365094BF1-E33-EQ1-A 数据手册

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Datasheet  
μPD46365084B  
μPD46365094B  
μPD46365184B  
μPD46365364B  
R10DS0090EJ0400  
Rev.4.00  
36M-BIT QDRTM II SRAM  
4-WORD BURST OPERATION  
Nov 09 2012  
Description  
The μPD46365084B is a 4,194,304-word by 8-bit, the μPD46365094B is a 4,194,304-word by 9-bit, the  
μPD46365184B is a 2,097,152-word by 18-bit and the μPD46365364B is a 1,048,576-word by 36-bit  
synchronous quad data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-  
transistor memory cell.  
The μPD46365084B, μPD46365094B, μPD46365184B and μPD46365364B integrate unique synchronous  
peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are  
latched on the positive edge of K and K#. These products are suitable for application which require  
synchronous operation, high speed, low voltage, high density and wide bit configuration.  
These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.  
Features  
• 1.8 ± 0.1 V power supply  
• 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15)  
• HSTL interface  
• PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling  
• Separate independent read and write data ports with concurrent transactions  
• 100% bus utilization DDR READ and WRITE operation  
• Four-tick burst for reduced address frequency  
• Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only  
• Two output clocks (C and C#) for precise flight time  
and clock skew matching-clock and data delivered together to receiving device  
• Internally self-timed write control  
• Clock-stop capability. Normal operation is restored in 20 μs after clock is resumed.  
• User programmable impedance output (35 to 70 Ω)  
• Fast clock cycle time : 3.3 ns (300 MHz) , 4.0 ns (250 MHz)  
• Simple control logic for easy depth expansion  
• JTAG 1149.1 compatible test access port  
R10DS0090EJ0400 Rev.4.00  
Nov 09, 2012  
Page 1 of 38  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD46365094BF1-E33Y-EQ1-A RENESAS

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