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UPD461318LS1-5

更新时间: 2024-02-06 00:03:10
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日电电子 - NEC 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 505K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 3ns, BICMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

UPD461318LS1-5 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:3 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0长度:22 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:119字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.3 mm最大供电电压 (Vsup):3.45 V
最小供电电压 (Vsup):3.15 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

UPD461318LS1-5 数据手册

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