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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LBGA |
| 包装说明： | BGA-165 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | unknown | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.79 | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 250 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | DDR SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.46 mm | 最大待机电流： | 0.38 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.45 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD46184095BF1-E40-EQ1-A | RENESAS |
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UPD46184095BF1-E40-EQ1-A |
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| UPD46184095BF1-E40Y-EQ1-A | RENESAS |
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DDR SRAM |
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| UPD46184182BF1-E33-EQ1 | RENESAS |
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| UPD46184182BF1-E33-EQ1-A | RENESAS |
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| UPD46184182BF1-E40-EQ1 | RENESAS |
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QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM, LBGA, /Tray |
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