5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, BGA-119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.87 | 最长访问时间： | 3.5 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.3 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD461318LS1-7 | NEC |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 4ns, BICMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 |
|
| UPD461336-55LS1 | ETC |
获取价格 |
x36 Synchronous SRAM |
|
| UPD461336-5LS1 | ETC |
获取价格 |
x36 Synchronous SRAM |
|
| UPD461336-6LS1 | ETC |
获取价格 |
x36 Synchronous SRAM |
|
| UPD461336-7LS1 | ETC |
获取价格 |
x36 Synchronous SRAM |
|
| UPD461336LS1-5 | NEC |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 |
|
| UPD4616112 | NEC |
获取价格 |
16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT |
|
| UPD4616112F9-B85LX-BC2 | NEC |
获取价格 |
16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
|
| UPD4616112F9-B85LX-BC2-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UPD4616112F9-B95LX-BC2 | NEC |
获取价格 |
16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
|
解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
