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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | BGA-119 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 4 ns | 备用内存宽度： | 16 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 150 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1179648 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119(UNSPEC) | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3,1.2 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 3.15 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BICMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPD461336LS1-5 | NEC | Cache SRAM, 32KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 |
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| UPD4616112 | NEC | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT |
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| UPD4616112F9-B85LX-BC2 | NEC | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD4616112F9-B85LX-BC2-A | NEC | 暂无描述 |
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| UPD4616112F9-B95LX-BC2 | NEC | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD4616112F9-B95LX-BC2-A | NEC | 暂无描述 |
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