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UPD46128512-E9X

更新时间： 2024-01-21 13:22:52
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
82页 817K
描述
128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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UPD46128512-E9X 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：93
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.87
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B93
JESD-609代码：e0长度：12 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：93字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

UPD46128512-E9X 数据手册

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μ PD46128512-X  
Truth Table  
Asynchronous Operation  
Mode  
/CE1  
CE2  
/ADV  
/OE  
/WE  
/LB  
/UB  
DQ  
/WAIT  
DQ0 to DQ7 DQ8 to DQ15  
Not selected (Standby Mode 1)  
Not selected (Standby Mode 2) Note1  
Word read  
H
×
H
L
×
×
×
×
L
×
×
×
×
×
×
High-Z  
High-Z  
DOUT  
High-Z  
High-Z  
DOUT  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
L
H
Note3  
H
L
L
Lower byte read  
L
H
L
DOUT  
High-Z  
DOUT  
Upper byte read  
H
H
×
High-Z  
High-Z  
High-Z  
DIN  
Output disable  
H
×
High-Z  
High-Z  
DIN  
Output disable  
H
Word write  
L
L
L
Lower byte write  
L
H
L
DIN  
High-Z  
DIN  
Upper byte write  
Abort write Note2  
H
H
High-Z  
High-Z  
H
High-Z  
Notes1. CE2 pin must be fixed HIGH except Standby Mode 2 (refer to 2.3 Standby Mode Status Transition).  
2. If /WE = LOW and /LB = /UB = HIGH, memory does not accept write data, so write operation is not available.  
3. Fixed LOW or toggle HIGH → LOW → HIGH  
Remark H, HIGH : VIH, L, LOW : VIL, ×: VIH or VIL  
Clock pin must be fixed either LOW or HIGH.  
5
Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS  
12345678...82

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与UPD46128512-E9X相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD46128512F9-CR2 NEC

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 		128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD46128512-X NEC

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 		128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD46128953-E12X NEC

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 		128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 32-BIT ADDRESS / DATA MULTIPLEXED EXTENDED T
UPD46128953-E15X NEC

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 		128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 32-BIT ADDRESS / DATA MULTIPLEXED EXTENDED T
UPD46128953F1-E12X-EB1 RENESAS

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 		暂无描述
UPD46128953F1-E12X-EB1 NEC

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 		Standard SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA127, 13.0 X 11.5 MM, PLASTIC, FBGA-127
UPD46128953F1-E15X-EB1 NEC

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