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UPD46128512-E9X

更新时间: 2024-01-30 04:55:09
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
82页 817K
描述
128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

UPD46128512-E9X 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:LFBGA,针数:93
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B93
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:93字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-30 °C
组织:8MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm最大供电电压 (Vsup):2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:9 mm
Base Number Matches:1

UPD46128512-E9X 数据手册

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μ PD46128512-X  
Block Diagram  
Standby mode control  
V
CC  
V Q  
CC  
Refresh  
control  
GND  
Refresh  
counter  
Memory cell array  
134,217,728 bits  
A0  
to  
A22  
Row  
decoder  
Address buffer  
Address latch  
CLK  
/ADV  
DQ0 to DQ7  
DQ8 to DQ15  
Sense amplifier /  
Switching circuit  
Input data  
controller  
Output data  
controller  
Column decoder  
Internal state  
control  
/WAIT  
/CE1  
CE2  
/LB  
/UB  
/WE  
/OE  
4
Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS  

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