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UPD44164364F5-E50-EQ1

更新时间： 2024-11-23 22:59:31

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日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器双倍数据速率
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18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION

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UPD44164364F5-E50-EQ1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.86	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.51 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

UPD44164364F5-E50-EQ1 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD44164084, 44164184, 44164364

18M-BIT DDRII SRAM

4-WORD BURST OPERATION

Description

The µPD44164084 is a 2,097,152-word by 8-bit, the µPD44164184 is a 1,048,576-word by 18-bit and the

µPD44164364 is a 524,288-word by 36-bit synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS

technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The µPD44164084, µPD44164184 and µPD44164364 integrates unique synchronous peripheral circuitry and a

burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and /K) are latched on the positive edge of K and

/K.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high

density and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.

Features

• 1.8 ± 0.1 V power supply and HSTL I/O

• DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Pipelined double data rate operation

• Common data input/output bus

• Four-tick burst for reduced address frequency

• Two input clocks (K and /K) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two output clocks (C and /C) for precise flight time

and clock skew matching-clock and data delivered together to receiving device

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability with µs restart

• User programmable impedance output

• Fast clock cycle time : 4.0 ns (250 MHz), 5.0 ns (200 MHz), 6.0 ns (167 MHz)

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG boundary scan

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M15822EJ7V1DS00 (7th edition)

Date Published July 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2001

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD44164364F5-E60-EQ1	NEC	获取价格	18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
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UPD44164365AF5-E33-EQ2-A	NEC	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164365AF5-E40-EQ2-A	RENESAS	获取价格	512KX36 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164365AF5-E40-EQ2-A	NEC	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164365AF5-E50-EQ2	NEC	获取价格	IC,SYNC SRAM,DDR,512KX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC
UPD44164365AF5-E50-EQ2-A	RENESAS	获取价格	512KX36 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164365F5-E50-EQ1	NEC	获取价格	18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION
UPD44164365F5-E60-EQ1	NEC	获取价格	18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION
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