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UPD44164095BF5-E50-EQ3-A PDF预览

UPD44164095BF5-E50-EQ3-A

更新时间： 2024-11-20 15:56:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 461K
描述
2MX9 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44164095BF5-E50-EQ3-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA,
针数：165Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.84最长访问时间：0.45 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：15 mm内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：9
功能数量：1端子数量：165
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX9
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.46 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
宽度：13 mmBase Number Matches：1

UPD44164095BF5-E50-EQ3-A 数据手册

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Datasheet  
μPD44164095B  
μPD44164185B  
R10DS0016EJ0200  
Rev.2.00  
18M-BIT DDR II SRAM SEPARATE I/O  
2-WORD BURST OPERATION  
October 6, 2011  
Description  
The μPD44164095B is a 2,097,152-word by 9-bit and the μPD44164185B is a 1,048,576-word by 18-bit  
synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-  
transistor memory cell.  
The μPD44164095B and μPD44164185B integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst  
counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are latched on the positive edge of K  
and K#. These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low  
voltage, high density and wide bit configuration.  
These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.  
Features  
• 1.8 0.1 V power supply  
• 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15)  
• HSTL interface  
• PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling  
• Separate independent read and write data ports  
• DDR read or write operation initiated each cycle  
• Pipelined double data rate operation  
• Separate data input/output bus  
• Two-tick burst for low DDR transaction size  
• Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only  
• Two output clocks (C and C#) for precise flight time  
and clock skew matching-clock and data delivered together to receiving device  
• Internally self-timed write control  
• Clock-stop capability. Normal operation is restored in 20 μs after clock is resumed.  
• User programmable impedance output (35 to 70 Ω)  
• Fast clock cycle time : 3.3 ns (300 MHz), 3.5 ns (287 MHz), 4.0 ns (250 MHz), 5.0 ns (200 MHz)  
• Simple control logic for easy depth expansion  
• JTAG 1149.1 compatible test access port  
R10DS0016EJ0200 Rev.2.00  
October 6, 2011  
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与UPD44164095BF5-E50-EQ3-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD44164095BF5-E50Y-EQ3-A RENESAS

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 		2MX9 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164182AF5-E33-EQ2 NEC

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 		DDR SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165
UPD44164182AF5-E33-EQ2-A RENESAS

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 		1MX18 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164182AF5-E37-EQ2 NEC

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 		DDR SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165
UPD44164182AF5-E37-EQ2-A RENESAS

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 		1MX18 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164182AF5-E37Y-EQ2 NEC

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 		IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC
UPD44164182AF5-E37Y-EQ2-A RENESAS

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 		IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC
UPD44164182AF5-E40-EQ2-A RENESAS

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 		1MX18 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164182AF5-E40Y-EQ2 RENESAS

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 		IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC
UPD44164182AF5-E40Y-EQ2-A RENESAS

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 		IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC

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