5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 250 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | DDR SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX18 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.51 mm | 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD44164182AF5-E50-EQ2 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165 |
|
| UPD44164182AF5-E50-EQ2-A | RENESAS |
获取价格 |
1MX18 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
|
| UPD44164182AF5-E50Y-EQ2-A | RENESAS |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC |
|
| UPD44164182F5-E30-EQ1 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC |
|
| UPD44164182F5-E33-EQ1 | RENESAS |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 |
|
| UPD44164182F5-E40-EQ1 | NEC |
获取价格 |
18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
|
| UPD44164182F5-E50-EQ1 | NEC |
获取价格 |
18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
|
| UPD44164182F5-E60-EQ1 | NEC |
获取价格 |
18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
|
| UPD44164184AF5-E33-EQ2-A | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
|
| UPD44164184AF5-E37Y-EQ2 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
