是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 0.45 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | DDR SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.51 mm | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD44164182F5-E30-EQ1 | RENESAS |
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IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC | |
UPD44164182F5-E33-EQ1 | RENESAS |
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DDR SRAM, 1MX18, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | |
UPD44164182F5-E40-EQ1 | NEC |
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18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION | |
UPD44164182F5-E50-EQ1 | NEC |
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18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION | |
UPD44164182F5-E60-EQ1 | NEC |
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18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION | |
UPD44164184AF5-E33-EQ2-A | NEC |
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DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164184AF5-E37Y-EQ2 | NEC |
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DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164184AF5-E37Y-EQ2-A | NEC |
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DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164184AF5-E40-EQ2 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164184AF5-E40-EQ2-A | RENESAS |
获取价格 |
1MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |