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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | PLASTIC, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 73728 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD4369CR-20 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC |
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| UPD4369LA-15 | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| UPD4369LA-20 | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| UPD4382161GF-A10 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| UPD4382161GF-A85 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| UPD4382161GF-A85B | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| UPD4382161GF-A90 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| UPD4382161GF-A90B | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| UPD4382162GF-A67 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| UPD4382162GF-A67B | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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