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UPD431000AGZ-70X-KKH

更新时间： 2024-11-14 22:05:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
28页	209K
描述
1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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UPD431000AGZ-70X-KKH 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD431000A-X

1M-BIT CMOS STATIC RAM

128K-WORD BY 8-BIT

EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

Description

The µPD431000A-X is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM.

The µPD431000A-X has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available.

In addition to this, A and B versions are low voltage operations.

The µPD431000A-X is packed in 32-pin PLASTIC SOP, 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4 mm) and (8 × 20 mm).

Features

• 131,072 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Low voltage operation (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Operating ambient temperature: T^A= –25 to +85 °C

• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)

• Output Enable input for easy application

• Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

voltage

temperature

°C

At operating At standby At data retention

mA (MAX.) µA (MAX.)

µA (MAX.) ^Note1

µPD431000A-xxX

µPD431000A-AxxX

70, 85

4.5 to 5.5

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

–25 to +85

2.5

70 ^Note2, 100

35 ^Note3

30 ^Note4

26 ^Note5

22 ^Note6

µPD431000A-BxxX 70 ^Note2, 100, 120, 150

Notes 1. T^A≤ 40 °C

2. VCC = 4.5 to 5.5 V

3. 70 mA (VCC > 3.6 V)

4. 70 mA (VCC > 3.3 V)

5. 50 µA (VCC > 3.6 V)

6. 50 µA (VCC > 3.3 V)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. M10430EJ9V0DS00 (9th edition)

The mark ★ shows major revised points.

Date Published April 2002 NS CP (K)

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD431000AGZ-70X-KKH-A	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
UPD431000AGZ-85-KJH	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-85-KKH	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-85L	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-85L-KJH	NEC	获取价格	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT
UPD431000AGZ-85LL	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-85LL-KJH	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-85X-KJH	NEC	获取价格	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD431000AGZ-85X-KJH-A	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
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