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UPD431000AGZ-B10-KJH-A

更新时间： 2024-09-28 13:02:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
32页	227K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32

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UPD431000AGZ-B10-KJH-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.39	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e6
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

UPD431000AGZ-B10-KJH-A 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD431000A

1M-BIT CMOS STATIC RAM

128K-WORD BY 8-BIT

Description

The µPD431000A is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM.

The µPD431000A has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available. In

addition to this, A and B versions are low voltage operations.

The µPD431000A is packed in 32-pin PLASTIC DIP, 32-pin PLASTIC SOP and 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4

mm) and (8 × 20 mm).

Features

• 131,072 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Low voltage operation (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Operating ambient temperature: T^A= 0 to 70 °C

• Low V^CCdata retention: 2.0 V (MIN.)

• Output Enable input for easy application

• Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

voltage

temperature

°C

At operating At standby At data retention

mA (MAX.) µA (MAX.)

µA (MAX.) ^Note1

µPD431000A-xxL

µPD431000A-xxLL

µPD431000A-Axx

µPD431000A-Bxx

70, 85

4.5 to 5.5

0 to 70

100

70 ^Note2, 100

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

35 ^Note3

30 ^Note4

13 ^Note5

11 ^Note6

70 ^Note2, 100, 120, 150

Notes 1. T^A≤ 40 °C

2. VCC = 4.5 to 5.5 V

3. 70 mA (VCC > 3.6 V)

4. 70 mA (VCC > 3.3 V)

5. 20 µA (VCC > 3.6 V)

6. 20 µA (VCC > 3.3 V)

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Document No. M11657EJBV0DS00 (11th edition)

Date Published April 2002 NS CP (K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1990, 1993, 1995

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD431000AGZ-B10-KKH	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
UPD431000AGZ-B10X-KJH	NEC	获取价格	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD431000AGZ-B10X-KJH-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPD431000AGZ-B10X-KKH	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-B12-KJH	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-B12-KKH	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
UPD431000AGZ-B12X-KJH	NEC	获取价格	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD431000AGZ-B12X-KJH	RENESAS	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
UPD431000AGZ-B12X-KJH-A	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
UPD431000AGZ-B12X-KJH-A	RENESAS	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32

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