Datasheet > UPD431000AGZ-85X-KKH-A

UPD431000AGZ-85X-KKH-A

更新时间： 2024-09-28 20:41:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	254K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD431000AGZ-85X-KKH-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	最长访问时间：	85 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

UPD431000AGZ-85X-KKH-A 数据手册

浏览型号UPD431000AGZ-85X-KKH-A的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号UPD431000AGZ-85X-KKH-A的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号UPD431000AGZ-85X-KKH-A的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号UPD431000AGZ-85X-KKH-A的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号UPD431000AGZ-85X-KKH-A的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD431000A-X

1M-BIT CMOS STATIC RAM

128K-WORD BY 8-BIT

EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

Description

The µPD431000A-X is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM.

The µPD431000A-X has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available.

In addition to this, A and B versions are low voltage operations.

The µPD431000A-X is packed in 32-pin PLASTIC SOP, 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4 mm) and (8 × 20 mm).

Features

• 131,072 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Low voltage operation (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C

• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)

• Output Enable input for easy application

• Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

voltage

temperature

°C

At operating At standby At data retention

mA (MAX.) µA (MAX.)

µA (MAX.) ^Note1

µPD431000A-xxX

µPD431000A-AxxX

70, 85

4.5 to 5.5

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

–25 to +85

2.5

70 ^Note2, 100

35 ^Note3

30 ^Note4

26 ^Note5

22 ^Note6

µPD431000A-BxxX 70 ^Note2, 100, 120, 150

Notes 1. TA ≤ 40 °C

2. V^CC= 4.5 to 5.5 V

3. 70 mA (V^CC> 3.6 V)

4. 70 mA (VCC > 3.3 V)

5. 50 µA (VCC > 3.6 V)

6. 50 µA (VCC > 3.3 V)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M10430EJAV0DS00 (10th edition)

Date Published February 2006 NS CP (K)

Printed in Japan

1995

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

12 3 4 5 6 7...28

中文翻译

下载PDF

与UPD431000AGZ-85X-KKH-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD431000AGZ-A10-KJH	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
UPD431000AGZ-A10-KKH	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD431000AGZ-A10X-KJH	NEC	获取价格	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD431000AGZ-A10X-KJH-A	RENESAS	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
UPD431000AGZ-A10X-KJH-A	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
UPD431000AGZ-A10X-KKH	NEC	获取价格	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD431000AGZ-A10X-KKH-A	NEC	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
UPD431000AGZ-A12-KJH	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
UPD431000AGZ-A12-KKH	NEC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
UPD431000AGZ-A12X-KJH	ETC	获取价格	x8 SRAM

与UPD431000AGZ-85X-KKH-A相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

17
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

18
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD431000AGZ-85X-KKH-A

UPD431000AGZ-85X-KKH-A 技术参数

UPD431000AGZ-85X-KKH-A 数据手册

与UPD431000AGZ-85X-KKH-A相关器件

与UPD431000AGZ-85X-KKH-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD431000AGZ-85X-KKH-A

UPD431000AGZ-85X-KKH-A 技术参数

UPD431000AGZ-85X-KKH-A 数据手册

与UPD431000AGZ-85X-KKH-A相关器件

与UPD431000AGZ-85X-KKH-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？