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UPD42S4170LV-A80

更新时间： 2024-01-05 08:21:28

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	655K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40

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UPD42S4170LV-A80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ZIP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PZIP-T40
长度：	50.98 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	11.65 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	2.8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD42S4170V-70	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
UPD42S4170V-80	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
UPD42S4190AG5-60	RENESAS	获取价格	256K X 18 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
UPD42S4190AG5-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
UPD42S4190AG5-70	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,TSOP,40PIN,PLASTIC
UPD42S4190AG5-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
UPD42S4190AG5M-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40
UPD42S4190AG5M-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40
UPD42S4190AG5M-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40
UPD42S4190AG5M-80	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,TSOP,40PIN,PLASTIC