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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA895TD-T3
UPA895TD-T3 PDF预览

UPA895TD-T3

更新时间： 2024-11-04 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 130K
描述
NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

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UPA895TD-T3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：1.20 X 0.80 MM, ULTRA SMALL, TD, 6 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：5.5 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6500 MHzBase Number Matches：1

UPA895TD-T3 数据手册

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NEC's NPN SILICON RF  
TWIN TRANSISTOR  
UPA895TD  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
•
•
LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION  
SMALL PACKAGE OUTLINE:  
1.2 mm x 0.8 mm  
Package Outline TD  
(TOP VIEW)  
1.0±0.05  
+0.07  
-0.05  
0.8  
•
•
•
LOW HEIGHT PROFILE:  
(Top View)  
Q1  
Just 0.50 mm high  
C1  
E1  
C2  
B1  
E2  
B2  
1
2
3
6
5
4
TWO LOW NOISE OSCILLATOR TRANSISTORS:  
NE851  
IDEAL FOR 1-3 GHz OSCILLATORS  
Q2  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector (Q1)  
2. Emitter (Q1)  
3. Collector (Q2)  
4. Base (Q2)  
DESCRIPTION  
NEC's UPA895TD contains two NE851 high frequency silicon  
bipolar chips. The NE851 is an excellent oscillator chip, featur-  
ing low 1/f noise and high immunity to pushing effects. NEC's  
new ultra small TD package is ideal for all portable wireless  
applications where reducing board space is a prime consider-  
ation. Each transistor chip is independently mounted and  
easily configured for oscillator/buffer amplifier and other  
applications.  
5. Emitter (Q2)  
6. Base (Q1)  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUANTITY  
PACKAGING  
UPA895TD-T3  
10K Pcs./Reel  
Tape & Reel  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
UPA895TD  
PACKAGE OUTLINE  
TD  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Collector Cutoff Current at VCB = 10 V, IE = 0  
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0  
nA  
nA  
600  
600  
145  
DC Current Gain1 at VCE = 3 V, IC = 7 mA  
100  
5.0  
120  
6.5  
0.6  
4.0  
5.5  
fT  
Gain Bandwidth at VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz  
Feedback Capacitance2 at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz  
Insertion Power Gain at VCE = 1 V, IC =5 mA, f = 2 GHz  
GHz  
pF  
Cre  
|S21E|2  
0.8  
dB  
3.0  
4.5  
|S21|S21E|2E|2 Insertion Power GainIat VCE = 1 V, IC =15 mA, f = 2 GHz  
NF Noise Figure at VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz  
Notes: 1. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.  
dB  
dB  
1.9  
2.5  
2. Collector to base capacitance when measured with capacitance meter (automatic balanced bridge method), with emitter connected to  
guard pin of capacitances meter.  
California Eastern Laboratories  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA895TD-T3-A CEL

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 		NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPA895TD-T3FB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M
UPA895TD-T3-FB RENESAS

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 		2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS, MINIMOLD, M16, 1208, 6 P
UPA895TD-T3FB-A NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M
UPA895TS RENESAS

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 		2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
UPA895TS NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEAD
UPA895TS-FB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEAD
UPA895TS-FB-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEAD
UPA895TS-T3 NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEAD
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEAD

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