Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA828TC-A

UPA828TC-A

更新时间： 2024-02-05 07:56:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
20页	92K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA828TC-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	THIN, MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA828TC-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

PPA828TF

HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 6-PIN 2 u 2SC5184) THIN-TYPE SMALL MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)

•

Low noise

2.10±0.1

1.25±0.1

NF = 1.3 dB TYP. @ V^CE= 2 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz

6-pin thin-type small mini mold package adopted

Built-in 2 transistors (2 u 2SC5184)

•

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Packing Style

Embossed tape 8 mm wide.

Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2

Emitter), Pin 4 (Q2 Base) face to

perforation side of the tape.

PPA828TF

Loose products

(50 pcs)

PPA828TF-T1

Taping products

(3 kpcs/reel)

Remark If you require an evaluation sample, please contact

an NEC Sales Representative (Unit sample quantity

is 50 pcs).

PIN CONFIGURATION (Top View)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25qC)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

3. Collector (Q2)

Total Power Dissipation

P^T

90 in 1 element

4. Base (Q2)

5. Emitter (Q2)

6. Base (Q1)

180 in 2 elements

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

°C

T^stg

ð65 to +150

Caution is required concerning excess input, such as from static electricity, due to the high-precision

fabrication processes used for this device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P12693EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 1997 N

Printed in Japan

1997

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与UPA828TC-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA828TC-KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA828TC-KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA828TC-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA828TC-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA828TC-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA828TD-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FREE
UPA828TD-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,
UPA828TD-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,
UPA828TD-T3-A	RENESAS	获取价格	UPA828TD-T3-A
UPA828TD-T3-A-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与UPA828TC-A相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

16
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

14
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA828TC-A

UPA828TC-A 技术参数

UPA828TC-A 数据手册

与UPA828TC-A相关器件

与UPA828TC-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA828TC-A

UPA828TC-A 技术参数

UPA828TC-A 数据手册

与UPA828TC-A相关器件

与UPA828TC-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？