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UPA804TGB

更新时间： 2024-02-19 20:19:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	50K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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UPA804TGB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.06 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA804TGB 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA804T

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

The 2SC4571 has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: m m )

FEATURES

2.1±0.1

•

High fT

1.25±0.1

fT = 5.0 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 m A, f = 1 GHz)

Sm all Collector Capacitance

•

C^ob= 0.9 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)

A surface Mounting Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4571)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA804T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

PIN CONFIGURATION (Top View )

µPA804T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

3. Collector (Q2)

m A

m W

Total Power Dissipation

120 in 1 elem ent

160 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

125

˚C

Tstg

–55 to 125

Note 90 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3638

(O.D. No. ID-9145)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA804TGB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA804T-GB-A	NEC	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA804TGB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA804TGB-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA804T-T1	NEC	获取价格	SILICON TRANSISTOR
UPA804T-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA804T-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA804T-T1-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA804T-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA804T-T1GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA804T-T1-GB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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