是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | WSOF, 6 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.336 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPA652TT-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | |
UPA652TT-E1 | RENESAS |
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UPA652TT-E1 | |
UPA652TT-E1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | |
UPA652TT-E2 | RENESAS |
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UPA652TT-E2 | |
UPA652TT-E2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | |
UPA653 | ETC |
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UPA653TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] | |
UPA653TT | NEC |
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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | |
UPA654TT-E1-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
UPA654TT-E2-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
UPA672 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING |