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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SC-95 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.2 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.054 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA1901TE-A | RENESAS |
获取价格 |
6500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-95, 6 PIN |
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| UPA1901TE-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6.5A I(D),TSOP |
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| UPA1901TE-T1 | RENESAS |
获取价格 |
UPA1901TE-T1 |
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| UPA1901TE-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 30V 6.5A 39Mohm 6Pin Tmm/Sc-95, TMM, /Embossed Tape |
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| UPA1901TE-T2 | RENESAS |
获取价格 |
UPA1901TE-T2 |
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| UPA1902 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1902TE | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1902TE | RENESAS |
获取价格 |
7000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-95, 6 PIN |
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| UPA1902TE-T2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,7A I(D),SC-74 |
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| UPA1902TE-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,7A I(D),SC-74 |
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