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UNR91ATJ

更新时间： 2024-09-16 19:47:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	323K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, 3 PIN

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UNR91ATJ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNR91ATJ 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR91ATJ

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Unit: mm

+0.05

1.60

−0.03

+0.03

 Features

0.12

−0.01

1.00 0.05

 Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment

 Contribute to low power consumption

0.27 0.02

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.50)(0.50)

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

–50

Unit

5°

–50

–80

°C

Total power dissipation

P_T

125

Junction temperature

T_j

125

1: Base

2: Emitter

Storage temperature

stg

–55 to +125

°C

3: Collecter

SSMini3-F1 Package

Marking Symbol: EN

Internal Connection

R₁

R₂

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

-50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

V_CBOI_C= -10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= -2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= -50 V, I_E= 0

V_CE= -50 V, I_B= 0

V_EB= -6 V, I_C= 0

- 0.1

- 0.5

- 0.2

400

V_CE= -10 V, I_C= -5 mA



V_CE(sat)I_C= -10 mA, I_B= - 0.3 mA

- 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= -5 V, V_B= - 0.5 V, R_L= 1 kW

V_CC= -5 V, V_B= - 2.5 V, R_L= 1 kW

-4.9

—30%

Output voltage low-level

- 0.2

Input resistance

0.47

+30%



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

Transition frequency

V_CB= -10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2007

SJH00140AED

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与UNR91ATJ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR9210G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR9210J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UNR9210J(UN9210J)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR9210J\|UN9210J	PANASONIC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR9210Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9210R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9210S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9211	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9211G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR9211J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type

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