5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR521F | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| UNR521F(UN521F) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR521F|UN521F | PANASONIC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR521FR | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
|
| UNR521K | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| UNR521K(UN521K) | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
|
| UNR521K|UN521K | PANASONIC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR521KG | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UNR521KQ | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UNR521KS | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
