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UNR521K(UN521K)

更新时间： 2024-10-29 23:39:31

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描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNR521K(UN521K) 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR521xシリーズ (UN521xシリーズ)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.10

+0.1

デジタル回路用

0.15

0.3

–0.0

–0.05

■ 特ꢀ長

• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能

• Sミニ型パッケージのためテーピング，マガジン包装による

自動挿入が可能

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

■ 品

種別抵抗値

2.0 0.2

形名表示記号 (R₁)

(R₂)

10˚

• UNR5210 (UN5210)

• UNR5211 (UN5211)

• UNR5212 (UN5212)

• UNR5213 (UN5213)

• UNR5214 (UN5214)

• UNR5215 (UN5215)

• UNR5216 (UN5216)

• UNR5217 (UN5117)

• UNR5218 (UN5218)

• UNR5219 (UN5219)

• UNR521D (UN521D)

• UNR521E (UN521E)

• UNR521F (UN521F)

• UNR521K (UN521K)

• UNR521L (UN521L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ



10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

EIAJ : SC-70

SMini3-G1 Package



内部接続図

5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR521M (UN521M) EL

• UNR521N (UN521N)

• UNR521T (UN521T)

• UNR521V (UN521V)

• UNR521Z (UN521Z)

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ電流

全許容損失

I_C

100

150

P_T

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2004年1月

SJH00024CJD

12 3 4 5 6 7...17

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UNR521KG	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR521KQ	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR521KS	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR521L	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UNR521L(UN521L)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR521L\|UN521L	PANASONIC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR521LG	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR521LS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR521M	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type