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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.28 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR511N | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR511N(UN511N) | ETC |
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複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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| UNR511N|UN511N | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR511NGQ | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| UNR511NQ | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3- |
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| UNR511NR | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3- |
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| UNR511NS | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3- |
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| UNR511T | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR511T(UN511T) | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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| UNR511T|UN511T | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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