UNR511V

更新时间： 2024-11-14 22:28:51

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17页	436K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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UNR511V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UNR511V 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR511x Series (UN511x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For digital circuits

+0.10

+0.1

0.15

0.3

–0.0

–0.05

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/

magazine packing

(0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking symbol (R₁)

(R₂)



•

UNR5110 (UN5110)

UNR5111 (UN5111)

UNR5112 (UN5112)

UNR5113 (UN5113)

UNR5114 (UN5114)

UNR5115 (UN5115)

UNR5116 (UN5116)

UNR5117 (UN5117)

UNR5118 (UN5118)

UNR5119 (UN5119)

UNR511D (UN511D)

UNR511E (UN511E)

UNR511F (UN511F)

UNR511H (UN511H)

UNR511L (UN511L)

UNR511M (UN511M)

UNR511N (UN511N)

UNR511T (UN511T)

UNR511V (UN511V)

UNR511Z (UN511Z)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00022BED

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR511V(UN511V)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR511V\|UN511V	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511VG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511VQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511VS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511XSERIES(UN511XSERIES)	ETC	获取价格	UNR511X Series (UN511X Series) - PNP Transistors with built-in Resistor
UNR511Z	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511Z(UN511Z)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR511Z\|UN511Z	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511ZQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-

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