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UNR511T(UN511T)

更新时间: 2024-10-29 23:39:31
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17页 550K
描述
複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ

UNR511T(UN511T) 数据手册

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抵抗内蔵トランジスタ  
UNR511xシリーズ (UN511xシリーズ)  
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
デジタル回路用  
+0.10  
+0.1  
0.15  
0.3  
–0.0  
–0.05  
3
特ꢀ長  
機器の小形, 点数の減によりコストダウン可能  
Sミニ型パッケージのためテーピングガジン包装による  
自動挿入が可能  
1
2
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
品  
種別抵抗値  
2.0 0.2  
形名表示記号  
(R1)  
47 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
47 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
22 kΩ  
0.51 kΩ  
1 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
4.7 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
22 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
(R2)  
10˚  
UNR5110 (UN5110)  
UNR5111 (UN5111)  
UNR5112 (UN5112)  
UNR5113 (UN5113)  
UNR5114 (UN5114)  
UNR5115 (UN5115)  
UNR5116 (UN5116)  
UNR5117 (UN5117)  
UNR5118 (UN5118)  
UNR5119 (UN5119)  
UNR511D (UN511D)  
UNR511E (UN511E)  
UNR511F (UN511F)  
UNR511H (UN511H)  
UNR511L (UN511L)  
UNR511M (UN511M)  
UNR511N (UN511N)  
UNR511T (UN511T)  
UNR511V (UN511V)  
UNR511Z (UN511Z)  
6L  
6A  
6B  
6C  
6D  
6E  
6F  
10 kΩ  
22 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
EIAJ : SC-70  
SMini3-G1 Package  
内部接続図  
6H  
6I  
5.1 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
2.2 kΩ  
22 kΩ  
6K  
6M  
6N  
6O  
6P  
6Q  
EI  
EW  
EY  
FC  
FE  
R1  
R2  
C
E
B
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
50  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
50  
V
コレクタ電流  
全許容損失  
合温度  
IC  
PT  
100  
150  
mA  
mW  
Tj  
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
) 形名の( ), 従来品  
番です  
発行年月 : 200312月  
SJH00022BJD  
1

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