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UNR511N(UN511N)

更新时间： 2024-11-14 23:39:31

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複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNR511N(UN511N) 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR511xシリーズ (UN511xシリーズ)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

デジタル回路用

+0.10

+0.1

0.15

0.3

–0.0

–0.05

■ 特ꢀ長

• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能

•

Sミニ型パッケージのためテーピング，マガジン包装による

自動挿入が可能

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

■ 品

種別抵抗値

2.0 0.2

形名表示記号

(R₁)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

(R₂)



10˚

•

UNR5110 (UN5110)

UNR5111 (UN5111)

UNR5112 (UN5112)

UNR5113 (UN5113)

UNR5114 (UN5114)

UNR5115 (UN5115)

UNR5116 (UN5116)

UNR5117 (UN5117)

UNR5118 (UN5118)

UNR5119 (UN5119)

UNR511D (UN511D)

UNR511E (UN511E)

UNR511F (UN511F)

UNR511H (UN511H)

UNR511L (UN511L)

UNR511M (UN511M)

UNR511N (UN511N)

UNR511T (UN511T)

UNR511V (UN511V)

UNR511Z (UN511Z)

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

EIAJ : SC-70

SMini3-G1 Package



内部接続図

5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

−50

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

−50

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

P_T

−100

150

接

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年12月

SJH00022BJD

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR511N\|UN511N	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511NGQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511NQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511NR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511NS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511T	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511T(UN511T)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR511T\|UN511T	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511TG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511TGQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO

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