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UNR511HR

更新时间： 2024-11-15 13:15:11
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松下 - PANASONIC /
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UNR511HR 数据手册

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Transistors with built-in Resistor  
UNR511x Series (UN511x Series)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
For digital circuits  
+0.10  
+0.1  
0.15  
0.3  
–0.0  
–0.05  
3
■ Features  
• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts  
• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/  
1
2
magazine packing  
(0.65)  
(0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.2  
■ Resistance by Part Number  
10˚  
Marking symbol (R1)  
(R2)  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
UNR5110 (UN5110)  
UNR5111 (UN5111)  
UNR5112 (UN5112)  
UNR5113 (UN5113)  
UNR5114 (UN5114)  
UNR5115 (UN5115)  
UNR5116 (UN5116)  
UNR5117 (UN5117)  
UNR5118 (UN5118)  
UNR5119 (UN5119)  
UNR511D (UN511D)  
UNR511E (UN511E)  
UNR511F (UN511F)  
UNR511H (UN511H)  
UNR511L (UN511L)  
UNR511M (UN511M)  
UNR511N (UN511N)  
UNR511T (UN511T)  
UNR511V (UN511V)  
UNR511Z (UN511Z)  
6L  
6A  
6B  
6C  
6D  
6E  
6F  
47 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
47 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
22 kΩ  
0.51 kΩ  
1 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
4.7 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
22 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
EIAJ: SC-70  
SMini3-G1 Package  
Internal Connection  
6H  
6I  
5.1 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
2.2 kΩ  
22 kΩ  
R1  
B
C
E
6K  
6M  
6N  
6O  
6P  
6Q  
EI  
EW  
EY  
FC  
FE  
R2  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
−50  
−50  
V
Collector current  
IC  
PT  
−100  
mA  
mW  
°C  
150  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: December 2003  
SJH00022BED  
1
1234567...17

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与UNR511HR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNR511HS PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511L PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511L(UN511L) ETC

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 		複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ
UNR511L|UN511L ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511LG PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511LGQ PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511LGR PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511LQ PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511LR PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511LS PANASONIC

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