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UN2116S

更新时间： 2024-11-06 20:24:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	429K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN

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UN2116S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UN2116S 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR211x Series (UN211x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

For digital circuits

0.16

–0.06

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• Mini type package allowing easy automatic insertion through tape

(0.95) (0.95)

packing and magazine packing

1.9 ^0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking Symbol (R₁)

(R₂)



• UNR2110 (UN2110)

• UNR2111 (UN2111)

• UNR2112 (UN2112)

• UNR2113 (UN2113)

• UNR2114 (UN2114)

• UNR2115 (UN2115)

• UNR2116 (UN2116)

• UNR2117 (UN2117)

• UNR2118 (UN2118)

• UNR2119 (UN2119)

• UNR211D (UN211D)

• UNR211E (UN211E)

• UNR211F (UN211F)

• UNR211H (UN211H)

• UNR211L (UN211L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR211M (UN211M) EI

• UNR211N (UN211N)

• UNR211T (UN211T)

• UNR211V (UN211V)

• UNR211Z (UN211Z)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

200

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00006CED

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN2116T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2116TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2116TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2117	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN2117Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UN2117R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UN2117S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UN2117T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2117TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2117TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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