UN2117

更新时间： 2024-09-15 22:17:23

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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UN2117 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UN2117 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/

211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Unit: mm

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

For digital circuits

0.65±0.15

Features

■

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through tape packing and magazine packing.

●

Resistance by Part Number

■

Marking Symbol (R₁)

(R₂)

10kΩ

22kΩ

47kΩ

—

5.1kΩ

10kΩ

—

10kΩ

22kΩ

10kΩ

4.7kΩ

47kΩ

2.2kΩ

22kΩ

●

UN2111

UN2112

UN2113

UN2114

UN2115

UN2116

UN2117

UN2118

UN2119

UN2110

UN211D

UN211E

UN211F

UN211H

UN211L

UN211M

UN211N

UN211T

UN211V

UN211Z

10kΩ

22kΩ

47kΩ

10kΩ

4.7kΩ

22kΩ

0.51kΩ

1kΩ

47kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

22kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

0.1 to 0.3

0.4±0.2

1:Base

2:Emitter

EIAJ:SC-59

Mini Type Package

3:Collector

Internal Connection

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

–50

–100

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

200

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5 6 7...17

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与UN2117相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN2117Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UN2117R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UN2117S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UN2117T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2117TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2117TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN2118	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN2118R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G
UN2118S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G
UN2118T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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