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UMX4TR PDF预览

UMX4TR

更新时间： 2024-12-01 13:15:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 18V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOLD, UM6, 6 PIN

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UMX4TR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：18 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UMX4TR 数据手册

 浏览型号UMX4TR的Datasheet PDF文件第2页 
EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /  
FMW6 / FMW10 / IMX4  
Transistors  
High transition frequency (dual transistors)  
EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /  
FMW6 / FMW10 / IMX4  
!Features  
1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package.  
2) High transition frequency. (fT=1.5GHz)  
3) Low output capacitance. (Cob=0.95pF)  
!Equivalent circuit  
EMX4 / UMX4N  
IMX4  
UMW6N  
FMW6  
UMW10  
FMW10  
(3) (2)  
(1)  
(4) (5)  
(6)  
(3) (2)  
(1)  
(3) (4)  
(5)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
(5)  
(1)  
(5)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(2)  
(4)  
(2)  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
18  
V
3
V
Collector current  
I
C
50  
mA  
EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N  
Collector power  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
∗1  
∗2  
Pc  
mW  
dissipation  
FMW6 / FMW10 / IMX4  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~  
+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
30  
18  
3
I
I
I
C
=10µA  
V
C=1mA  
−
−
−
−
V
E
=10µA  
CB=10V  
EB=2V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
FE1 / FE2  
−
−
0.5  
0.5  
270  
0.5  
2
µA  
µA  
−
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
DC current transfer ratio  
27  
−
0.5  
600  
−
−
−
h
CE/I  
C
=10V/10mA  
=20mA/4mA  
V
I
C/I  
B
Collector-emitter saturation voltage  
V
h
h
−
1
V
CE/I  
C
=10V/10mA  
=10V/10mA, f=200MHz  
=0A  
hFE pairing  
Transition frequency  
f
T
1500  
0.95  
−
1.6  
∗
MHz  
pF  
V
V
CE/I  
C
Output capacitance  
Cob  
CB/f=10V/1MHz, I  
E
∗Transition frequency of the device.  
12

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