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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMX5NTL
UMX5NTL PDF预览

UMX5NTL

更新时间： 2024-10-14 12:58:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 11V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

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UMX5NTL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：11 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e2
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

UMX5NTL 数据手册

 浏览型号UMX5NTL的Datasheet PDF文件第2页 
EMX5 / UMX5N / IMX5  
Transistors  
High transition frequency (dual transistors)  
EMX5 / UMX5N / IMX5  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package.  
2) High transition frequency. (fT=3.2GHz)  
3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF)  
EMX6  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
!Equivalent circuits  
EMX5 / UMX5N  
IMX5  
(3) (2)  
(1)  
(4) (5)  
(6)  
ROHM : EMT6  
UMX5N  
Each lead has same dimensions  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
1.25  
2.1  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
20  
0.1Min.  
11  
V
3
V
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Each lead has same dimensions  
I
C
50  
mA  
EMX5 / UMX5N  
IMX5  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
∗1  
∗2  
Collector power  
dissipation  
Pc  
mW  
IMX5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
1.6  
2.8  
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
EMX5  
EMT5  
X5  
UMX5N  
UMT6  
X5  
IMX5  
SMT6  
X5  
Package  
0.3Min.  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
T108  
3000  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Each lead has same dimensions  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Conditions  
Unit  
V
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
20  
11  
3
−
−
−
−
I
I
I
C
=10µA  
V
C=1mA  
−
−
−
−
V
E
=10µA  
CB=10V  
EB=2V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
FE1 / FE2  
−
−
0.5  
0.5  
270  
0.5  
2
µA  
µA  
−
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
DC current transfer ratio  
27  
−
0.5  
1.4  
−
−
−
h
CE/I  
C
=10V/5mA  
=10mA/5mA  
=10V/5mA  
V
I
C/I  
B
Collector-emitter saturation voltage  
V
h
h
−
1
V
CE/I  
CE/I  
C
hFE pairing  
Transition frequency  
f
T
3.2  
0.9  
−
1.55  
∗
GHz  
pF  
V
V
C
=10V/10mA, f=200MHz  
Output capacitance  
Cob  
CB/f=10V/1MHz, I =0A  
E
∗Transition frequency of the device.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMX5NTN ROHM

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UMX6 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO
UMX6001A MICROSEMI

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