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UMW7NTR PDF预览

UMW7NTR

更新时间： 2024-09-15 20:37:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, SC-88A, 5 PIN

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UMW7NTR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-88A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.55 pF
集电极-发射极最大电压：11 V配置：SERIES, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：27JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3200 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

UMW7NTR 数据手册

 浏览型号UMW7NTR的Datasheet PDF文件第2页 
EMX5 / UMW7N / UMW8N / UMX5N /  
FMW7 / FMW8 / IMX5  
Transistors  
High transition frequency (dual transistors)  
EMX5 / UMW7N / UMW8N / UMX5N /  
FMW7 / FMW8 / IMX5  
zFeatures  
1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package.  
2) High transition frequency. (fT=3.2GHz)  
3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF)  
zEquivalent circuit  
UMW7N  
FMW7  
UMW8N  
FMW8  
EMX5 / UMX5N  
IMX5  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
(3) (2)  
(1)  
(3) (4)  
(5)  
(3) (2)  
(1)  
(4) (5)  
(6)  
(4)  
(5)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(2)  
(1)  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
20  
11  
3
V
V
Collector current  
I
C
50  
mA  
EMX5 / UMW7N / UMW8N / UMX5N  
Collector power  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
1
2
Pc  
mW  
dissipation  
FMW7N / FMW8 / IMX5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~  
+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Conditions  
Unit  
V
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
20  
11  
3
I
I
I
C
=10µA  
−
−
V
C=1mA  
−
−
V
E
=10µA  
CB=10V  
EB=2V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
FE1 / FE2  
−
−
0.5  
0.5  
270  
0.5  
2
µA  
µA  
−
V
V
V
Emitter cutoff current  
−
−
I
DC current transfer ratio  
27  
−
−
h
CE/I  
C
=10V/5mA  
−
V
I
C/I  
B
=10mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
V
h
h
−
0.5  
1.4  
−
1
V
CE/I  
CE/I  
C
=10V/5mA  
=10V/10mA, f=200MHz  
=0A  
hFE pairing  
Transition frequency  
f
T
3.2  
0.9  
−
GHz  
pF  
V
V
C
Output capacitance  
1.55  
Cob  
CB/f=10V/1MHz, I  
E
Transition frequency of the device.  
12

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