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UMW2N PDF预览

UMW2N

更新时间： 2024-09-14 03:23:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
General purpose (dual transistors)

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UMW2N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：120元件数量：2
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UMW2N 数据手册

 浏览型号UMW2N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMW2N的Datasheet PDF文件第3页 
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N /UMX2N /  
UMX3N / FMW2 / IMX2 / IMX3  
Transistors  
General purpose (dual transistors)  
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N /  
UMX3N / FMW2 / IMX2 / IMX3  
zFeatures  
1) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package.  
zEquivalent circuit  
EMX2 / UMX2N  
IMX2  
EMX3 / UMX3N  
IMX3  
EMW2 / UMW2N  
FMW2  
(3)  
(2)  
(1)  
(6)  
(4)  
(5)  
(6)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(4)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
(5)  
(2)  
(1)  
(4) (5)  
(3) (2)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
50  
V
7
V
Collector current  
I
C
150  
mA  
1
2
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N / UMX3N  
FMW2 / IMX2 / IMX3  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Collector power  
dissipation  
P
C
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
60  
50  
7
Typ.  
−
Max.  
−
Conditions  
Unit  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
V
V
I
C
=50µA  
=1mA  
−
−
I
I
C
−
−
V
E
=50µA  
CB=60V  
EB=7V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.1  
0.1  
0.4  
560  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
−
I
C/I  
B
=50mA/5mA  
h
120  
−
−
−
V
V
V
CE=6V, IC  
=1mA  
Transition frequency  
f
T
180  
2
MHz  
pF  
CE=12V, I  
CB=12V, I  
E
E
=−2mA, f=100MHz  
=0mA, f=1kHz  
Output capacitance  
Cob  
−
3.5  
Transition frequency of the device.  
zPackage, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
EMW2  
EMT5  
W2  
EMX2  
EMT6  
X2  
EMX3  
EMT6  
X3  
UMW2N  
UMT5  
W2  
UMX2N  
UMT6  
X2  
UMX3N  
FMW2  
SMT5  
W2  
IMX2  
SMT6  
X2  
IMX3  
SMT6  
X3  
UMT6  
X3  
Marking  
Code  
T2R  
T2R  
T2R  
TR  
TR  
TR  
T148  
3000  
T108  
3000  
T108  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
8000  
8000  
3000  
3000  
3000  
123

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与UMW2N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMW2NTR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-88A
UMW2TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMW2TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMW5 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
UMW5NTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMW5NTR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMW5TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMW5TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMW6N ROHM

获取价格

 		High transition frequency (dual transistors)
UMW6NTL ROHM

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, UM5, 5

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