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UMN10N

更新时间: 2024-11-28 11:57:43
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罗姆 - ROHM 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 183K
描述
Switching diode

UMN10N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-88
包装说明:UMD6, SC-88, 6 PIN针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:3
端子数量:6最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:80 V最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs反向测试电压:70 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

UMN10N 数据手册

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UMN10N  
Diodes  
Switching diode  
UMN10N  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
Very fast recovery  
2.0±0.1  
+0.1  
0.15  
-0.06  
0.65 0.65  
0.25+0.1  
ꢀ-0.05  
Each lead same dimension  
(6)  
(5)  
(4)  
zFeatures  
1) Small mold type. (UMD6)  
2) High reliability  
0~0.1  
(1)  
(2)  
(3)  
0.35  
0.65  
0.65  
0.7±0.1  
1.3±0.1  
0.9±0.1  
UMD6  
zConstruction  
Silicon epitaxial planer  
zStructure  
ROHM : UMD6  
JEDEC : SOT-363  
JEITA : SC-88  
dot (year week factory)  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
φ1.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0
0.3±0.1  
φ1.1±0.1  
4.0±0.1  
2.0±0.05  
2.2±0.1  
1.35±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
80  
80  
V
V
Forward current repetitive peak (Single)  
Average rectified forward current (Single)  
Surge current t=1us  
300  
100  
4
IFM  
mA  
mA  
A
Io  
Isurge  
Pd  
Power dissipation  
200  
150  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
-55 to +150  
Tstg  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Forward voltage  
VF  
IR  
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2  
0.1  
3.5  
4
V
IF=100mA  
Reverse current  
µA  
pF  
ns  
VR=70V  
Capacitance between terminal  
Reverse recovery time  
Ct  
trr  
VR=6V , f=1MHz  
V =6V , IF=5mA , RL=50  
Ω
R
1/3  

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