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UMN1TL

更新时间: 2024-11-29 13:15:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 174K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.025A, Silicon,

UMN1TL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.67配置:COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G5JESD-609代码:e2
元件数量:4端子数量:5
最大输出电流:0.025 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

UMN1TL 数据手册

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UMN1N  
Diodes  
Switching diode  
UMN1N  
zApplication  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Ultra high speed switching  
0.35  
2.0±0.2  
0.1  
0.05  
0.25±  
0.15±0.05  
Each lead has same dimension  
(5)  
(4)  
zFeatures  
1) Small mold type. (UMD5)  
2) High reliability  
0.65 0.65  
0~0.1  
(1)  
(2)  
(3)  
UMD5  
0.65  
0.65  
0.7  
1.3±0.1  
zConstruction  
0.9±0.1  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
ROHM : UMD5  
JEDEC : SOT-353  
JEITA : SC-88A  
dot (year week factory)  
zTaping specifications (Unit : mm)  
φ1.55±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
0
φ1.1±0.1  
4.0±0.1  
2.25±0.1  
1.15±0.1  
ꢀꢀꢀ  
0
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
80  
80  
V
V
Forward current (Single)  
Average rectified forward current (Single)  
Surge current t=1us)  
Power dissipation  
Junction temperature  
IFM  
80  
25  
250  
150  
150  
mA  
mA  
mA  
mW  
Io  
Isurge  
Pd  
Tj  
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.9  
0.1  
3.5  
4
Unit  
V
Conditions  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF=5mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
Reverse current  
VR=70V  
µA  
pF  
ns  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
VR=6V , f=1MHz  
VR=6V , IF=5mA , RL=50Ω  
Ct  
trr  
Rev.B  
1/2  

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