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UMN11N

更新时间: 2024-02-26 21:06:16
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罗姆 - ROHM 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Switching diode

UMN11N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-88
包装说明:UMD6, SC-88, 6 PIN针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.27
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:4端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
反向测试电压:70 V子类别:Signal Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

UMN11N 数据手册

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UMN11N  
Diodes  
Switching diode  
UMN11N  
zApplication  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Ultra high speed switching  
0.65 0.65  
2.0±0.2  
0.1  
0.05  
Each lead has same dimension  
0.25±  
0.15±0.05  
zFeatures  
1) Small mold type. (UMD6)  
2) High reliability  
(6)  
(5)  
(4)  
0.35  
0~0.1  
UMD6  
zConstruction  
(1)  
0.65  
(2)  
(3)  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
0.65  
0.7  
1.3±0.1  
0.9±0.1  
ROHM : UMD6  
JEDEC : SOT-363  
JEITA : SC-88  
dot (year week factory)  
zTaping specifications (Unit : mm)  
φ1.5±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
0
φ1.1±0.1  
4.0±0.1  
2.2±0.1  
1.15±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
V
80  
80  
Forward current (Single)  
Average rectified forward current (Single)  
Surge current t=1us)  
Power dissipation  
Junction temperature  
IFM  
300  
100  
4
150  
mA  
mA  
A
mW  
Io  
Isurge  
Pd  
150  
Tj  
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.2  
0.1  
3.5  
4
Unit  
V
Conditions  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF=100mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
Reverse current  
VR=70V  
µA  
pF  
ns  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
VR=6V , f=1MHz  
VR=6V , IF=5mA , RL=50Ω  
Ct  
trr  
Rev.B  
1/2  

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